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彻底碾压任何对手:三星闪存要堆100层

2016/9/29 10:53:48      点击:
东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。

据韩国媒体报道,基于第四代V-的三星将在今年第四季度上市,但具体产品不详——860 EVO?

三星2013年全球第一家量产了3D NAND,第一代24层,第二代增加到32层,当前的第三代为48层。

统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露:“预计在不久的将来,三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。”

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